RFN10B3STL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RFN10B3STL |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 350 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | CPD |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 350 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | RFN10 |
RFN10B3STL Einzelheiten PDF [English] | RFN10B3STL PDF - EN.pdf |
ROHM TO-252
N MALE; 50 OHMS
N MALE-N MALE; R/A
N Male; Low PIM
N MALE-4.1/9.5 MALE
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE
N MALE-4.1/9.5 FEMALE
N FEMALE-4.1/9.5 FEMALE
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE
N FEMALE-4.1/9.5 MALE
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
N Male; Low PIM
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RFN10B3STLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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